它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
| 型号 | 品牌 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1N2927 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| 1N4394 | Solid States Devices, | |
| 1N4394A | Solid States Devices, | |
| 1N4395 | Solid States Devices, | |
| 1N4395A | Solid States Devices, | |
| 1N3717 | Optoelectronic Devices | |
| 1N3712 | Optoelectronic Devices |